| 【场效应管(FET共漏放大器)缓冲区偏差计算公式】 |
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| 电压VDD(V) | |
| 期望电压VRS(V) | |
| 截止电压VP[VGS(off)为负值,V] | |
| 栅极置零漏电流IDSS(mA) | |
| 漏极-源极电流IDS(mA) | |
| 电阻RS | |
| 栅极-源极电压Vgs(V) |
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分类： 电子电路 标签：场效应管FET共漏放大器缓冲区偏差 工具ID：755 阅读：798 收藏
输入供电电压VDD(V)、期望电压VRS(V)、截止电压VP(V)、栅极置零时漏电流IDSS(mA)等已知变量，点击计算按钮，可快速求出漏极-源极电流IDS(mA)、电阻RS、栅极-源极电压Vgs(V)等未知结果。
上图是一款JFET缓冲区（共漏放大器）电路原理图，用于对数字信号进行放大处理，该电路与晶体管相比，具有较高的输入阻抗。
相关计算公式：
IDS= IDSS(1-VGS/Vp)^2
RS= VRS/IDS
式中，VDD是放大电路供电压，VRS是期望信号放大后的峰值电压，Vp 即 VGS(off) (Pinch off Voltage, negative)是FET管栅-源极截止电压（应为负数），IDSS (Zero Gate Voltage Drain Current)表示栅极置零时FET管的漏电流。
FET是Field Effect Transistor的缩写，称为场效应晶体管。它是晶体管的一种。通常所说的晶体管是指双极晶体管。场效应晶体管的工作方式是沟道中的多数载流子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动，形成了漏极电流。只涉及到一种载流子的漂移作用，所以也叫单极性晶体管。
FET有三个电极分别是栅极（ Gate ）、源极（ Source ）和漏极（ Drain ）。
FET按照结构可以分为结型FET ( JFET: Junction FET ) 和绝缘栅FET ( MOSFET: Metal Oxide Semiconductor FET ) 。
按照电学特性，MOSFET又可以分为耗尽型 ( depletion ) 与增强型 ( enhancement ) 两类。它们又可以进一步分为N沟型和P沟型。
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